Micron: Rechenzentrumserlöse auf Rekordniveau mehr als verdoppelt – HBM-Speicher erreichen Jahresumsatz von 6 Mrd. USD

Micron fokussiert sich auf KI-Projekte und verzeichnet Rekorde im mehr als verdoppelten Rechenzentrumsgeschäft. Die Marktanteile werden ausgebaut. HBM-Erlöse erreichen mit einem sequenziellen Wachstum von fast 50 % einen Jahresumsatz von 6 Mrd. USD. Die Marktchance verdoppelt sich 2025 fast auf 34 Mrd. USD. US-Investitionen von rund 200 Mrd. USD sollen Technologien und Kapazitäten vorantreiben. Auch Autos, Industrie, PCs und Smartphones bieten Chancen. Die Marge soll sich im 4. Quartal verbessern und 2025 wird ein Rekordumsatz erwartet. Mit einem KGV26e von 12 ist die Bewertung weiterhin attraktiv.Micron Technology (MU) fokussiert sich mit seinen führenden DRAM- und NAND-Speicherlösungen zunehmend auf den weiterhin robusten KI-Markt. Mit einer breiteren Markterholung konnten im 3. Quartal mit einem Wachstum in sämtlichen Endmärkten neue Rekorderlöse generiert und eine Nettogewinnverdreifachung erreicht werden. Das Geschäft mit Rechenzentren konnte auf historische Höchststände mehr als verdoppelt werden. Dabei erreichten auch die DRAM-Speichererlöse das vierte Quartal in Folge ein neues Rekordniveau, insbesondere dank der hohen Nachfrage nach HBM-Speicherlösungen und der "Alleinlieferantenposition" bei LPDRAM für Server (Low Power). Auch bei Rechenzentrums- und Client-SSDs gab es gemessen an den Marktanteilen einen Quartalsrekord. Rückenwind liefern aber auch selbstfahrende und vernetzte Fahrzeuge, die Industrieautomation sowie PCs mit einem im Oktober auslaufenden Support für Windows 10 und durch Windows 11 ausgelösten Upgrade-Zyklus. Ebenso wie in PCs wird auch in Smartphones immer häufiger KI eingesetzt, wo mehr Modelle mit einem DRAM-Bedarf von 12 GB statt den durchschnittlich 8 GB auf den Markt kommen sollen. Micron liefert hier den erstmals auf EUV-Lithographie basierenden LPDDR5X-Speicher speziell für im nächsten Jahr erscheinende Flaggschiff-Modelle mit der branchenweit höchsten Leistung.HBM-Speicherumsatz steigt im Quartalsvergleich fast 50 %Benötigt werden HBM-Speicher, um Datenmengen zw. Speichern und Prozessoren schnell übertragen zu können. Das HBM-Geschäft überschritt im Vorquartal bereits die Umsatzmarke von 1 Mrd. USD und konnte nun sequenziell erneut um fast 50 % wachsen. Damit steigt die Jahresumsatzrate auf 6 Mrd. USD. Die damit verbundene Marktchance wächst in diesem Jahr auf 18 Mrd. USD an und soll sich 2026 bereits auf 34 Mrd. USD fast verdoppeln. Prognostiziert werden durchschnittliche jährliche Wachstumsraten von 33 % bis 2030. Micron plant hier in der 2. Jahreshälfte einen Ausbau der Marktanteile, um die gesamten DRAM-Anteile von rund 24,3 % im letzten Jahr zu übertreffen. Ein Treiber ist der Übergang von 8- auf 12-Bit-HBM. Gestartet werden sollen im 4. Quartal die Auslieferungen der HBM3E 12-High-Speicher. Neben NVIDIA setzt auch AMD bei seinem neuen Flaggschiff-KI-Beschleuniger MI355X auf die HBM3E 36GB 12H-Lösung von Micron. Gestartet wurden zudem bereits erste Auslieferungen des neuen HBM4 an einige Schlüsselkunden für KI-Projekte der nächsten Generation. HBM4 liefert mit 2,0 TB/s pro Speicherstapel eine 60 % höhere Speicherbandbreite sowie eine 20 % höhere Energieeffizienz als die HBM3E-Vorgängergeneration. Im Kalenderjahr 2026 soll die Massenproduktion anlaufen, ehe dann 2027 auch HBM4E erscheinen dürfte.US-Investitionen von rund 200 Mrd. USD angekündigt – Idaho-Fabrik startet 2027 die ProduktionUm die hohe Nachfrage nach KI-Speicherlösungen zu befriedigen, sollen die Technologieführerschaft und Fertigungskapazität mit disziplinierten Investitionen ausgebaut werden. Micron will die 1-Gamma-DRAM-Technologieknoten im gesamten Produktportfolio einsetzen und berichtet darüber, dass die Ausbeute schneller steigt als das Rekordtempo des älteren 1-Beta-Knotens. Gesetzt wird hier erstmals auf die EUV-Lithographie und es kann eine 30 % höhere Bitdichte mit bis zu 15 % höherer Leistung und über 20 % geringeren Stromverbrauch erzielt werden. Verkündet wurden gestützt von der Trump-Administration im Juni bereits US-Investitionen i.H.v. rund 200 Mrd. USD, wovon 150 Mrd. USD in neue Fabriken und 50 Mrd. USD in die Forschung und Entwicklung fließen sollen. Damit sind die Investitionspläne 30 Mrd. USD höher als bisher, die auch eine zweite Fabrik in Idaho sowie eine Modernisierung der bestehenden Anlage in Virginia für die Endmärkte Automotive, Luft- und Raumfahrt, Verteidigung und Industrie vorsehen. Die ID1-Fabrik soll in der 2. Jahreshälfte 2027 die Wafer-Produktion starten und auch die ID2 soll vor der ersten Fabrik in New York in Betrieb gehen, wo die Bodenarbeiten noch in diesem Jahr beginnen sollen.Management rechnet mit Rekordumsatz und Margenverbesserung – KGV26e mit 12 attraktivDas Management sieht sich für das laufende Fiskaljahr 2025 auf Kurs für einen Umsatzrekord und einen soliden Free Cashflow. Im 3. Quartal war der Free Cashflow mit über 1,9 Mrd. USD so hoch wie seit sechs Jahren nicht mehr. Im 4. Quartal sollen die Erlöse mit 10,4 bis 11 Mrd. USD (Konsens: 9,9 Mrd. USD) erneut höher ausfallen. Erwartet wird zudem eine Nettogewinnspanne zw. 2,35 und 2,68 USD je Aktie (Konsens: 2,03 USD). Dabei wird auch eine Verbesserung der Bruttomarge von derzeit 39 % auf 41 bis 43 % dank höherer Verkäufe bei DRAM und Rechenzentren mit Preisvorteilen in Aussicht gestellt. Seit dem Tiel im April konnte sich der Aktienkurs bereits wieder verdoppeln. Die Aktie ist mit einem KGV26e von 12 weiterhin attraktiv bewertet.

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